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1，內(nèi)存條的cl設(shè)置是什么

我來告訴你: CL叫做“延遲”，是越小越好，但是對(duì)于使用沒有明顯的感覺。 CL=2說明內(nèi)存的延遲是2個(gè)CPU周期，CL=3就是3個(gè)CPU周期。

2，計(jì)算機(jī)中的CL是什么意思cl或許是電子學(xué)

CL設(shè)置是計(jì)算機(jī)中專業(yè)術(shù)語，一定程度上反映出了該內(nèi)存在CPU接到讀取內(nèi)存數(shù)據(jù)的指令后，到正式開始讀取數(shù)據(jù)所需的等待時(shí)間。

是ctrl鍵，不是化學(xué)符號(hào)！

你這個(gè)詞出現(xiàn)在什么地方的？寄存器的名？

3，怎么調(diào)高BIOS里面的內(nèi)存的CL值

CL（CAS Latency）：為CAS的延遲時(shí)間，這是縱向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間，也是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范的內(nèi)存的重要標(biāo)志之一。CL值越低越快，一般設(shè)置在2-3之間為好，可以在開機(jī)時(shí)按DEl鍵，然后進(jìn)入高級(jí)芯片組功能設(shè)置（Advanced Chipset Features）的內(nèi)存設(shè)置（DRAM Configuration）設(shè)置就行了（具體主板可能各有不同）

4，如何修改BIOS中的內(nèi)存CL值

內(nèi)存延遲表示系統(tǒng)進(jìn)入數(shù)據(jù)存取操作就緒狀態(tài)前等待內(nèi)存相應(yīng)的時(shí)間，它通常用4個(gè)連著的阿拉伯?dāng)?shù)字來表示，例如“3-4-4-8”。其中第一個(gè)數(shù)字表示內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間（CAS Latency），即我們常說的CL值；第二個(gè)數(shù)字表示從內(nèi)存行地址到列地址的延遲時(shí)間（tRCD）；第三個(gè)數(shù)字表示內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時(shí)間（tRP），即內(nèi)存從結(jié)束一個(gè)行訪問到重新開始的間隔時(shí)間；第四個(gè)數(shù)字表示內(nèi)存行地址控制器激活時(shí)間（tRAS）。一般來說，這4個(gè)數(shù)字越小，表示內(nèi)存性能越好。 FSB(或是FrontSideBus,前端總線)是超頻最容易和最常見的方法之一。 CL值和FSB都是CMOS中的一項(xiàng)設(shè)置內(nèi)容，在主流的主板中都有設(shè)置選項(xiàng)。具體如何設(shè)置，請(qǐng)參見主板說明書。

5，在BIOS里怎么把CL 值調(diào)低

一般DDR 一代的內(nèi)存默認(rèn) CL 是 3 ， DDR2 CL 是 6 ， DDR3 CL 是9 。 CL 越低越好。 CL 可以到BIOS 里調(diào)試， 如果內(nèi)存質(zhì)量好的話， CL 可以適當(dāng)降低點(diǎn)， 質(zhì)量差， 兼容性差的內(nèi)存建議不要更改CL， 因?yàn)檫@個(gè)對(duì)內(nèi)存有損傷。 具體調(diào)試方法： 這里以Award BIOS 為準(zhǔn)來說明具體的更改方法（不同的BIOS 有不同的方法） 首先開機(jī)按 DEL 鍵進(jìn)入BIOS。 找到Advanced Chipset Features (高級(jí)芯片組特性） 再找到 CAS Latency (簡(jiǎn)稱CL） 然后在這里修改你要更改的數(shù)值。 ` 一部分主板的BIOS 的內(nèi)存CL設(shè)置是在 BIOS 里的 MB Intelligent Tweaker (M.I.T 頻率/電壓控制） 里面， 然后再找到 DRAM Configuration 把這項(xiàng)先打開才能設(shè)置。 再找到CAS# Latency 設(shè)置CL 值， 設(shè)置好以后， 按F10保存退出。 ` 回答希望能夠幫到您！ 寶寶丶嗨情歌 原創(chuàng)！ 抄襲可恥！ 希望您能夠滿意！ 謝謝！

新聞名稱：CL設(shè)置，內(nèi)存條的cl設(shè)置是什么
標(biāo)題來源：http://aaarwkj.com/article0/isisoo.html

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