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自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過(guò)了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見(jiàn)表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。
 

 

表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較

 
在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫(xiě)時(shí)間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需的擦除操作，而且寫(xiě)人時(shí)間也比閃存少幾個(gè)數(shù)量級(jí)。即使是與現(xiàn)有存儲(chǔ)器中性能較高的DRAM(讀取1寫(xiě)入時(shí)間為30ns~50ns)相比，自旋注入MRAM的高性能仍然很突出。此外可擦寫(xiě)次數(shù)超過(guò)1015次,和DRAM及SRAM相當(dāng),大大超出了閃存的105次。
 
在功能及性能方面均超過(guò)現(xiàn)有存儲(chǔ)器的自旋注入MRAM,很有可能將會(huì)取代在設(shè)備中使用的多種存儲(chǔ)器(見(jiàn)圖1)。如果關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)工作進(jìn)展順利，自旋注入MRAM今后的普及應(yīng)用將大致分為兩個(gè)階段。第一階段,它將取代車(chē)載MCU中應(yīng)用的嵌入式存儲(chǔ)器，其后在第二階段,它將取代手機(jī)中的MCP以及獨(dú)立DRAM和獨(dú)立NOR閃存等。
 

圖1 65nm產(chǎn)品會(huì)取代嵌入式存儲(chǔ)器，45nm產(chǎn)品會(huì)取代獨(dú)立存儲(chǔ)器

 
目前各廠(chǎng)商已經(jīng)基本掌握了用于實(shí)現(xiàn)第一階段應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。在車(chē)載MCU中,通常是將設(shè)備工作時(shí)使用的sram存儲(chǔ)器和用于存放程序的閃存集成在同一塊芯片上。如果能夠?qū)⒆孕⑷隡RAM集成到MCU中，就可以取代上述的SRAM及閃存。
 
MCU的用戶(hù)也對(duì)采用自旋注入MRAM表現(xiàn)出積極的態(tài)度。目前車(chē)載MCU中集成的閃存的可擦寫(xiě)次數(shù)太少。希望能夠采用讀/寫(xiě)性能優(yōu)于閃存的存儲(chǔ)器件。聽(tīng)說(shuō)MRAM比閃存的可擦寫(xiě)次數(shù)多，并且性能有所提高。如果這兩種存儲(chǔ)器的成本一樣，肯定會(huì)選擇MRAM。當(dāng)采用65nm工藝的自旋注入MRAM量產(chǎn)時(shí),將有可能實(shí)現(xiàn)對(duì)車(chē)載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代。

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當(dāng)前題目：MRAM是怎么實(shí)現(xiàn)對(duì)車(chē)載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代
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